参数资料
型号: MR256A08BYS35
厂商: Everspin Technologies Inc
文件页数: 21/24页
文件大小: 0K
描述: IC MRAM 256KB 35NS 44TSOP
标准包装: 135
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: MRAM(磁阻 RAM)
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 35ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商设备封装: 44-TSOP II
包装: 托盘
其它名称: 819-1024
MR256A08B
Figure 11 – 48-BGA Package Outline
TOP VIEW
0.41
0.31
0.32
0.22
BOTTOM VIEW
Not To Scale
SIDE VIEW
1.
2.
3.
4.
5.
Dimensions in Millimeters.
Dimensions and tolerances per ASME Y14.5M - 1994.
Maximum solder ball diameter measured parallel to DATUM A
DATUM A, the seating plane is determined by the spherical crowns
of the solder balls.
surface of package.
Copyright ? 2013 Everspin Technologies
21
MR256A08B Rev. 6, 10/2013
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参数描述
MR256A08BYS35R 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR256D08BMA45 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 45ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR256D08BMA45R 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 45ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR256DL08BMA45 功能描述:IC MRAM 256KBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:MRAM(磁阻 RAM) 存储容量:256K(32K x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(8x8) 标准包装:348
MR256DL08BMA45R 功能描述:IC MRAM 256KBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:MRAM(磁阻 RAM) 存储容量:256K(32K x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(8x8) 标准包装:1