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参数资料
| 型号： | MR2A08AYS35R |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MR2A08A
3. TIMING SPECIFICATIONS
Table 3.1 Capacitance 1
Parameter
Address input capacitance
Control input capacitance
Input/Output capacitance
Symbol
C In
C In
C I/O
Typical
-
-
-
Max
6
6
8
Unit
pF
pF
pF
1
f = 1.0 MHz, dV = 3.0 V, T A = 25 °C, periodically sampled rather than 100% tested.
Table 3.2 AC Measurement Conditions
Parameter
Logic input timing measurement reference level
Logic output timing measurement reference level
Logic input pulse levels
Input rise/fall time
Output load for low and high impedance parameters
Output load for all other timing parameters
Figure 3.1 Output Load Test Low and High
Z D = 50
Output
R L = 50
V L = 1.5 V
Figure 3.2 Output Load Test All Others
3.3 V
590
Output
5 pF
435
Value
1.5
1.5
0 or 3.0
2
See Figure 3.1
See Figure 3.2
Unit
V
V
V
ns
Everspin Technologies ? 2012
7
MR2A08A Rev. 6, 8/2012
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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