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参数资料
| 型号： | MR751 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 96K |
| 描述： | DIODE STD REC 6A 100V AXIAL |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 21/Jun/2007 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 6A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 900mV @ 6A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 25µA @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 按钮，轴向 |
| 供应商设备封装： | Microde 按钮 |
| 包装： | 散装 |
MR750 SERIES
http://onsemi.com
3
Figure 1. Forward Voltage
Figure 2. Maximum Surge Capability
Figure 3. Forward Voltage Temperature Coefficient
Figure 4. Typical Transient Thermal Resistance
0.8 1.0 1.4 1.6 2.0 2.21.8 2.4
0.6
vF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
700
500
20
50
10
i
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMP)
5.0
2.0
1.0
1.2
2.6
7.0
100
70
0.2
0.5
0.7
200
30
3.0
0.3
300
MAXIMUM
TYPICAL
TJ
= 25
°C
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
100
60
1.0
300
100
80
I
2.0 5.0 10 20 50
200
400
600
, PEAK HALF WAVE CURRENT (AMP)
FSM
TJ
= 175
°C
25°C
VRRM
MAY BE APPLIED BETWEEN
EACH CYCLE OF SURGE. THE TJ
NOTED IS TJ
PRIOR TO SURGE
iF, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMP)
0.5 5.0 501.0
?2.0
0.2
+0.5
0
?0.5
?1.0
?1.5
2.0
°
COEFFICIENT (mV/ C)
10 20 100 200
TYPICAL RANGE
t, TIME (SECONDS)
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 3.0 301.0
7.0 70
10
1.0
0.2
2.0 5.0 10 20 50
5.0
20
R
3.0
2.0
0.5
0.3
Both leads to heat sink, with lengths as shown. Variations in RJL(t)
below 2.0 seconds are independent of lead connections of 1/8 inch
or greater, and vary only about ±20% from the values shown. Val-
ues for times greater than 2.0 seconds may be obtained by drawing
a curve, with the end point (at 70 seconds) taken from Figure 8, or
calculated from the notes, using the given curves as a guide. Either
typical or maximum values may be used. For RJL(t)values at pulse
widths less than 0.1 second, the above curve can be extrapolated
down to 10 s at a continuing slope.
THERMAL RESISTANCE ( C/W)
175°C
25°C
1/2"
3/8"
1/4"
1/8"
, JUNCTION?TO?LEAD TRANSIENT
JL(t)
θ
°
HEAT SINK
L
L
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PDF描述 |
|---|---|
| VE-24M-CW-S | CONVERTER MOD DC/DC 10V 100W |
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| MR750G | DIODE STD REC 6A 50V AXIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR7510 | 制造商:CHENYI 制造商全称:Shanghai Lunsure Electronic Tech 功能描述:6Amp rectifier 50-1000 volts |
| MR7510-BP | 功能描述:DIODE STD REC 6A 1000V AXIAL RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MR7510FR | 制造商:CHENYI 制造商全称:Shanghai Lunsure Electronic Tech 功能描述:6Amp fast recovery rectifier 50to100 volts |
| MR7510-T3 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:6.0A STANDARD DIODE |
| MR751-BP | 功能描述:DIODE STD REC 6A 100V AXIAL RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
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