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参数资料
| 型号： | MRF10030 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | MRF10030 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF10031 | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MRF1004MB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MRF1150M | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MRF1250M | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MRF136 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF10031 | 功能描述:射频双极电源晶体管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MRF1004 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| MRF1004MA | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| MRF1004MB | 功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MRF10070 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:MICROWAVE POWER TRANSISTOR |
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