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参数资料
| 型号： | MRF1517NT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/16页 |
| 文件大小： | 281K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH PLD-1.5 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 520MHz |
| 增益： | 14dB |
| 电压 - 测试： | 7.5V |
| 额定电流： | 4A |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 8W |
| 电压 - 额定： | 25V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRF1517NT1DKR |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1517NT1
TYPICAL CHARACTERISTICS, 400 - 440 MHz
810
142
3568791011
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
50
20
70
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
30
60
40
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
Figure 13. Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
7
5
13
Figure 14. Drain Efficiency versus Output Power
2
GAIN (dB)
1
Figure 15. Output Power versus Biasing Current
12
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
0
Figure 16. Drain Efficiency versus Biasing Current
80
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
Figure 17. Output Power versus Supply Voltage
0
5
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 18. Drain Efficiency versus Supply Voltage
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
678 109
30
69107
8
5
0
40
60
60
30
400
0
6
12
600 1000800
80
4
9
17
200
50
11
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
200 1000400 600
800
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
354679
2
4
8
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
50
70
15
0
10
6
10
8
70
10
400 MHz
440 MHz
420 MHz
400 MHz
440 MHz
420 MHz
400 MHz
440 MHz
420 MHz
400 MHz
440 MHz
420 MHz
400 MHz
440 MHz
420 MHz
400 MHz
440 MHz
420 MHz
2
40
Pin
= 25.5 dBm
VDD
= 7.5 Vdc
VDD
= 7.5 Vdc
VDD
= 7.5 Vdc
Pin
= 25.5 dBm
IDQ
= 150 mA
Pin
= 25.5 dBm
VDD
= 7.5 Vdc
Pin
= 25.5 dBm
IDQ
= 150 mA
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PDF描述 |
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参数描述 |
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