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参数资料
| 型号： | MRF1517NT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/16页 |
| 文件大小： | 281K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH PLD-1.5 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 520MHz |
| 增益： | 14dB |
| 电压 - 测试： | 7.5V |
| 额定电流： | 4A |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 8W |
| 电压 - 额定： | 25V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRF1517NT1DKR |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1517NT1
Table 4. Electrical Characteristics (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS
= 35 Vdc, V
GS
= 0)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate-Source Leakage Current
(VGS
= 10 Vdc, V
DS
= 0)
IGSS
?
?
1
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
= 7.5 Vdc, I
D
= 120
μAdc)
VGS(th)
1
1.7
2.1
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(VGS
= 10 Vdc, I
D
= 1 Adc)
VDS(on)
?
0.5
?
Vdc
Forward Transconductance
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 2 Adc)
gfs
?
0.9
?
S
Dynamic Characteristics
Input Capacitance
(VDS
= 7.5 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
Ciss
?
66
?
pF
Output Capacitance
(VDS
= 7.5 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
Coss
?
38
?
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
= 7.5 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
Crss
?
6
?
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture)
Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD
= 7.5 Vdc, P
out
= 8 Watts, I
DQ
= 150 mA, f = 520 MHz)
Gps
?
14
?
dB
Drain Efficiency
(VDD
= 7.5 Vdc, P
out
= 8 Watts, I
DQ
= 150 mA, f = 520 MHz)
η
?
70
?
%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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