收藏本站
参数资料
型号： MRF151A
元件分类： 功率晶体管
英文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装： CASE P-244, 4 PIN
文件页数： 5/8页
文件大小： 282K
代理商： MRF151A
Figure 10. Series Equivalent Impedance
150
30
7.5
4
2
ZOL*
Zin
15
f = 175 MHz
100
30
15
7.5
Zo = 10
VDD = 50 V
IDQ = 250 mA
Pout = 150 W
ZOL* = Conjugate of the optimum load impedance
ZOL* = into which the device output operates at a
ZOL* = given output power, voltage and frequency.
f = 175 MHz
150
100
4
2
NOTE: Gate Shunted by 25 Ohms.
Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 50 V, ID = 2 A)
f
S11
S21
S12
S22
f
MHz
|S11|
φ
|S21|
φ
|S12|
φ
|S22|
φ
30
0.877
–174
10.10
77
0.008
19
0.707
–169
40
0.886
–175
7.47
69
0.009
24
0.715
–172
50
0.895
–175
5.76
63
0.008
33
0.756
–171
60
0.902
–176
4.73
58
0.009
39
0.764
–171
70
0.912
–176
3.86
52
0.009
46
0.784
–172
80
0.918
–177
3.19
48
0.010
54
0.802
–171
90
0.925
–177
2.69
45
0.011
62
0.808
–171
100
0.932
–177
2.34
40
0.013
67
0.850
–173
110
0.936
–178
2.06
37
0.014
72
0.865
–175
120
0.942
–178
1.77
35
0.015
76
0.875
–173
130
0.946
–179
1.55
32
0.017
77
0.874
–172
140
0.950
–179
1.39
30
0.019
77
0.884
–174
150
0.954
–180
1.23
27
0.021
78
0.909
–175
160
0.957
–180
1.13
24
0.023
79
0.911
–176
170
0.960
180
1.01
22
0.024
82
0.904
–177
180
0.962
179
0.90
20
0.026
82
0.931
–176
190
0.964
179
0.84
19
0.028
80
0.929
–178
200
0.967
179
0.75
18
0.030
79
0.922
–179
210
0.967
178
0.71
16
0.032
80
0.937
–180
220
0.969
178
0.67
14
0.035
82
0.949
180
230
0.971
178
0.60
12
0.038
81
0.950
179
240
0.970
177
0.57
12
0.037
80
0.950
179
5
REV 1
相关PDF资料
PDF描述
MRF154 VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF157 VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF158R UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
MRF158R UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
MRF16030 L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF151G 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF151GB 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF151GC 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF151GMP 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET
MRF1535FNT1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FET TO-272N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*