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参数资料
| 型号： | MRF1550NT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/18页 |
| 文件大小： | 461K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 WRAP |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 175MHz |
| 增益： | 14.5dB |
| 电压 - 测试： | 12.5V |
| 额定电流： | 12A |
| 电流 - 测试： | 500mA |
| 功率 - 输出： | 50W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | TO-272AA |
| 供应商设备封装： | TO-272-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF1550NT1DKR |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1550NT1 MRF1550FNT1
Table 4. Electrical Characteristics (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS
= 60 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate-Source Leakage Current
(VGS
= 10 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
?
0.5
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
= 12.5 Vdc, I
D
= 800
μA)
VGS(th)
1
?
3
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(VGS
= 5 Vdc, I
D
= 1.2 A)
RDS(on)
?
?
0.5
Ω
Drain-Source On-Voltage
(VGS
= 10 Vdc, I
D
= 4.0 Adc)
VDS(on)
?
?
1
Vdc
Dynamic Characteristics
Input Capacitance (Includes Input Matching Capacitance)
(VDS
= 12.5 Vdc, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
Ciss
?
?
500
pF
Output Capacitance
(VDS
= 12.5 Vdc, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
Coss
?
?
250
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
= 12.5 Vdc, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
Crss
?
?
35
pF
RF Characteristics
(In Freescale Test Fixture)
Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD
= 12.5 Vdc, P
out
= 50 Watts, I
DQ
= 500 mA) f = 175 MHz
Gps
?
14.5
?
dB
Drain Efficiency
(VDD
= 12.5 Vdc, P
out
= 50 Watts, I
DQ
= 500 mA) f = 175 MHz
η
?
55
?
%
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