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参数资料
| 型号： | MRF176 |
| 厂商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs |
| 中文描述： | N沟道马鞍山宽带RF功率场效应管 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 177K |
| 代理商： | MRF176 |
5
MRF176GU MRF176GV
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 6. Capacitance versus Drain–Source Voltage*
* Data shown applies to each half of MRF176GU/GV
Figure 7. Power Gain versus Frequency
TYPICAL CHARACTERISTICS
MRF176GV
Figure 8. Power Input versus Power Output
Figure 9. Output Power versus Supply Voltage
C
P
o
o
500
0
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
10
200
100
50
20
10
5
20
30
40
50
f, FREQUENCY (MHz)
10
20
10
5
20
30
25
15
5
50
100
200
500
300
0
Pin, POWER INPUT (WATTS)
200
100
0
6
12
320
VDS, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
30
280
240
200
160
120
80
40
0
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Pout = 200 W
150 W
VDS = 50 V
IDQ = 2 x 100 mA
VDD = 50 V
40 V
IDQ = 2 x 100 mA
f = 225 MHz
IDQ = 2 x 100 mA
f = 225 MHz
Pin = 6 W
4 W
2 W
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PDF描述 |
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参数描述 |
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