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参数资料
| 型号： | MRF18060ALR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/13页 |
| 文件大小： | 686K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.81GHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 6µA |
| 电流 - 测试： | 500mA |
| 功率 - 输出： | 60W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF18060ALR3 MRF18060ALSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS (DATA TAKEN USING WIDEBAND DEMONSTRATION BOARD)
IRL
Pin=6W
Figure 5. Power Gain versus
Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
8
10
Figure 6. Output Power versus Supply Voltage
0
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
100
10
40
G
ps
, POWER GAIN (dB)
100 3018
20 2422
26
28
1
P
Figure 7. Output Power versus Frequency
90
f, FREQUENCY (MHz)
0
Figure 8. Output Power and Efficiency
versus Input Power
Pin, INPUT POWER (WATTS)
20
1800
10
1840 3 4 5 61860 1880
0
15
1
90
20
30
30
20
1900
60
50
40
10
30
0
2
50
70
1820
Figure 9. Wideband Gain and IRL
(at Small Signal)
15.0
f, FREQUENCY (MHz)
10.0
1700
10.5
12.0
12.5
2100
14.5
14.0
1800 20001900
10
9
100 mA
13
16
14
500 mA
11
300 mA
IDQ
= 750 mA
60
50
40
20
15
η
VDD
=26Vdc
f = 1880 MHz
12
80
90
, OUTPUT POWER (WATTS)
out
2.5 W
Pin=5W
VDD
=26Vdc
IDQ
= 500 mA
1W
P , OUTPUT POWER (WATTS)
out
60
80
70
VDD
=26Vdc
IDQ
= 500 mA
1W
0.5 W
3W
50
40
60
70
80
P , OUTPUT POWER (WATTS)
out
25
30
Pout
VDD
=26Vdc
IDQ
= 500 mA
f = 1880 MHz
13.5
13.0
G
ps
, POWER GAIN (dB)
0
-- 1 0
-- 1 2
-- 1 8
-- 2 0
-- 1 6
-- 1 4
-- 2
-- 4
-- 6
-- 8
VDD
=26Vdc
IDQ
= 500 mA
Gps
35
45
55
11.0
11.5
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
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PDF描述 |
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