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参数资料
| 型号： | MRF18085ALSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 737K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.88GHz |
| 增益： | 15dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 90W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF18085ALR3 MRF18085ALSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
10
17
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 3. Power Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16
15
14
13
12
11
1 10 100
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 4. Power Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
1000
9
17
1
TC
=25_C
50_C
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 5. Power Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
=26Vdc
IDQ
= 800 mA
f = 1840 MHz
100
10
16
15
14
13
12
11
10
85_C
1900
0
120
1800
Pin
=8W
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 6. Output Power versus Frequency
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
VDD
=26Vdc
IDQ
= 800 mA
TC
=25_C
4W
1W
0.5 W
100
80
60
40
20
1820 1840 1860 1880
1950
10
17
1750
-- 2 8
0
16 --4Gps
@30W
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 7. Power Gain versus Frequency
G
ps
, POWER GAIN (dB)
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
VDD
=26Vdc
11 --24
IDQ
= 800 mA
TC
=25_C
Gps
@80W
12 --20IRL @ 80 W
13 --16IRL @ 30 W
15 --8
14 --12
1800 1850 1900
11 10η
1000
10
16
0.1
0
60
Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 8. Power Gain and Efficiency versus
Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
VDD
=26Vdc
13 30IDQ
= 800 mA
f = 1840 MHz
TC
=25_C
12 20
15 50
14 40
1 10 100
1000
8
17
0.1
24 V
IDQ
= 800 mA
f = 1840 MHz
TC
=25_C
16
15
14
13
12
11
10
9
1 10 100
VDD
=20V
28 V
32 V
IDQ
= 1000 mA
VDD
=26Vdc
f = 1840 MHz
TC
=25_C
800 mA
600 mA
400 mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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