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参数资料
| 型号： | MRF19030LR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 415K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.96GHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 1µA |
| 电流 - 测试： | 300mA |
| 功率 - 输出： | 30W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-400 |
| 供应商设备封装： | NI-400 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF19030LR3 MRF19030LSR3
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
RF Power Field Effect Transistors
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
Designed for class AB PCN and PCS base station applications with
frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and
multicarrier amplifier applications.
?
CDMA Performance @ 1990 MHz, 26 Volts
IS-95 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Thru 13
885 kHz ? -47 dBc in 30 kHz BW
1.25 MHz ? -55 dBc in 12.5 kHz BW
2.25 MHz ? -55 dBc in 1 MHz BW
Output Power ? 4.5 Watts Avg.
Power Gain ? 13.5 dB
Efficiency ? 17%
?
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1960 MHz, 30 Watts CW
Output Power
Features
?
Internally Matched for Ease of Use
?
High Gain, High Efficiency and High Linearity
?
Integrated ESD Protection
?
Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
?
Excellent Thermal Stability
?
Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
?
Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″
Nominal.
?
RoHS Compliant
?
In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
VDSS
-0.5, +65
Vdc
Gate-Source Voltage
VGS
-0.5, +15
Vdc
Total Device Dissipation @ TC
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
83.3
0.48
W
W/°C
Storage Temperature Range
Tstg
- 65 to +150
°C
Case Operating Temperature
TC
150
°C
Operating Junction Temperature
TJ
200
°C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
RθJC
2.1
°C/W
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Conditions
Class
Human Body Model
2 (Minimum)
Machine Model
M3 (Minimum)
Document Number: MRF19030
Rev. 12, 5/2006
Freescale Semiconductor
Technical Data
MRF19030LR3
MRF19030LSR3
1930-1990 MHz, 30 W, 26 V
LATERAL N-CHANNEL
RF POWER MOSFETs
CASE 465E-04, STYLE 1
NI-400
MRF19030LR3
CASE 465F-04, STYLE 1
NI-400S
MRF19030LSR3
?
Freescale Semiconductor, Inc., 2006, 2008. All rights reserved.
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