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参数资料
| 型号： | MRF19030LR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 415K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.96GHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 1µA |
| 电流 - 测试： | 300mA |
| 功率 - 输出： | 30W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-400 |
| 供应商设备封装： | NI-400 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF19030LR3 MRF19030LSR3
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Drain-Source Breakdown Voltage
(VGS
= 0 Vdc, I
D
= 20
μA)
V(BR)DSS
65
?
?
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate-Source Leakage Current
(VGS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
?
1
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 100
μAdc)
VGS(th)
2
3
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDS
= 28 Vdc, I
D
= 300 mA)
VGS(Q)
2
3.3
4.5
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(VGS
= 10 Vdc, I
D
= 1 Adc)
VDS(on)
?
0.29
0.4
Vdc
Forward Transconductance
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 1 Adc)
gfs
?
2
?
S
Dynamic Characteristics
Input Capacitance (Including Input Matching Capacitor in Package) (1)
(VDS
= 26 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
Ciss
?
98.5
?
pF
Output Capacitance (1)
(VDS
= 26 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
Coss
?
37
?
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
= 26 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
Crss
?
1.3
?
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system)
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 300 mA,
f1 = 1960.0 MHz, f2 = 1960.1 MHz)
Gps
?
13
?
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 300 mA,
f1 = 1960.0 MHz, f2 = 1960.1 MHz)
η
?
36
?
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 300 mA,
f1 = 1960.0 MHz, f2 = 1960.1 MHz)
IMD
?
-31
?
dBc
Input Return Loss
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 300 mA,
f1 = 1960.0 MHz, f2 = 1960.1 MHz)
IRL
?
-13
?
dB
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 300 mA, f1 = 1930.0 MHz,
f2 = 1930.1 MHz and f1 = 1990.0 MHz, f2 = 1990.1 MHz)
Gps
12
13
?
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 300 mA, f1 = 1930.0 MHz,
f2 = 1930.1 MHz and f1 = 1990.0 MHz, f2 = 1990.1 MHz)
η
33
36
?
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 300 mA, f1 = 1930.0 MHz,
f2 = 1930.1 MHz and f1 = 1990.0 MHz, f2 = 1990.1 MHz)
IMD
?
-31
-28
dBc
Input Return Loss
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 300 mA, f1 = 1930.0 MHz,
f2 = 1930.1 MHz and f1 = 1990.0 MHz, f2 = 1990.1 MHz)
IRL
?
-13
-9
dB
1. Part is internally matched both on input and output.
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