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参数资料
| 型号： | MRF19060SR3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| 中文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 387K |
| 代理商： | MRF19060SR3 |
MRF19060 MRF19060R3 MRF19060SR3
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MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 2. MRF19060 Test Circuit Component Layout
MRF19060
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF19060 | RF MOSFET(射频MOS场效应管) |
| MRF19060S | RF MOSFET(射频MOS场效应管) |
| MRF19085LSR3 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF19085 | CHOPPER STABILIZED LATCH W/TIN PLATING |
| MRF19085LR3 | CHOPPER STABILIZED LATCH W/TIN PLATING |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF19085 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-502A |
| MRF19085LR3 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF19085LR5 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF19085LSR3 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF19085R3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
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