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参数资料
| 型号： | MRF21085 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-780, CASE 465-06, 3 PIN |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 562K |
| 代理商： | MRF21085 |
MRF21085R3 MRF21085SR3 MRF21085LSR3
10
MOTOROLA RF DEVICE DATA
NOTES
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF21085LSR3 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF21085SR3 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF21180 | RF Power Field Effect Transistor |
| MRF21180R6 | RF Power Field Effect Transistor |
| MRF224 | 40W, 175MHz RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF21085LR3 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF21085LS | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MRF21085LSR3 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF21085LSR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF21085LSR5 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
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