- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378675 > MRF21180R6 (MOTOROLA INC) RF Power Field Effect Transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF21180R6 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-1230, CASE 375D-04, 4 PIN |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 520K |
| 代理商： | MRF21180R6 |
3
MRF21180R6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture, 50 ohm system) (2) (continued)
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 170 W, I
DQ
= 2 x 850 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
G
ps
—
12
—
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 170 W, I
DQ
= 2 x 850 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
η
—
33
—
%
Two-Tone Intermodulation Distortion
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 170 W, I
DQ
= 2 x 850 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
IMD
—
-30
—
dBc
Two-Tone Input Return Loss
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 170 W, I
DQ
= 2 x 850 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
IRL
—
-12
—
dB
P
out
, 1 dB Compression Point
(V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 2 x 850 mA, f = 2170 MHz)
(2) Measurements made with device in push-pull configuration.
P1dB
—
180
—
W
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF224 | 40W, 175MHz RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF240 | RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
| MRF247 | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF2628 | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF275G | 150 W, 28 V, 500 MHz N.CHANNEL MOS BROADBAND 100 - 500 MHz RF POWER FET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF21180R6_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF212 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF221 | 功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MRF224 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF227 | 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-39 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。