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参数资料
| 型号： | MRF255PHT |
| 厂商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | RF Power Field-Effect Transistor |
| 中文描述： | 射频功率场效应晶体管 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | MRF255PHT |
MRF255 PHOTOMASTER
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 2. Photomaster for 54 MHz Narrowband Test Fixture
(SCALE: 1:1)
Figure 3. Test Fixture Photograph — MRF255
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF255 | N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FET |
| MRF275L | RF MOSFET(射频MOS场效应管) |
| MRF282SR1 | RF MOSFET(射频MOS场效应管) |
| MRF282ZR1 | RF MOSFET(射频MOS场效应管) |
| MRF284SR1 | RF MOSFET(射频MOS场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF260 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR |
| MRF2628 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF264 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR |
| MRF275 | 制造商:MA-COM 制造商全称:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FET |
| MRF275G | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 5-500MHz 150Watts 28Volt 10dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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