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参数资料
| 型号： | MRF377HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 1271K |
| 描述： | MOSFET N-CH 32V 240W RF PWR |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 18.2dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 17A |
| 电流 - 测试： | 2A |
| 功率 - 输出： | 45W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-860C3 |
| 供应商设备封装： | NI-860C3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | Q2202731 Q3031314 |
MRF377HR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(TC
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Drain Efficiency
(VDD
=32Vdc,Pout
=45WAvg.,IDQ
= 2000 mA)
f = 470 MHz
f = 560 MHz
f = 660 MHz
f = 760 MHz
f = 860 MHz
ηD
?
?
?
?
?
23.5
25.8
23.0
22.7
21.3
?
?
?
?
?
%
Adjacent Channel Power Ratio
(VDD
=32Vdc,Pout
=45WAvg.,IDQ
= 2000 mA)
f = 470 MHz
f = 560 MHz
f = 660 MHz
f = 760 MHz
f = 860 MHz
ACPR
?
?
?
?
?
--59.3
--59.3
--58.7
--58.7
--58.1
?
?
?
?
?
dBc
Typical Performances
(1)
(In ATSC 8VSB Single--Channel, Broadband Fixture, 50 ohm system)
Common Source Power Gain
(VDD
=32Vdc,Pout
=80WAvg.,IDQ
= 2000 mA)
f = 470 MHz
f = 560 MHz
f = 660 MHz
f = 760 MHz
f = 860 MHz
Gps
?
?
?
?
?
17.5
17.5
17.2
17.2
16.6
?
?
?
?
?
dB
Drain Efficiency
(VDD
=32Vdc,Pout
=80WAvg.,IDQ
= 2000 mA)
f = 470 MHz
f = 560 MHz
f = 660 MHz
f = 760 MHz
f = 860 MHz
ηD
?
?
?
?
?
31.0
34.3
30.1
29.6
27.8
?
?
?
?
?
%
Intermodulation Distortion
(VDD
=32Vdc,Pout
=80WAvg.,IDQ
= 2000 mA)
f = 470 MHz
f = 560 MHz
f = 660 MHz
f = 760 MHz
f = 860 MHz
IMD
?
?
?
?
?
31.7
32.7
32.9
34.2
35.4
?
?
?
?
?
dBc
1. Measurement made with device in push--pull configuration.
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| E2021-BA | SW TOGGLE DPST 3A BK CAP SLD |
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| J310 | MOSFET VHF/UHF N-CH 25V TO92 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF377R5 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MRF3866R1 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
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