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参数资料
| 型号： | MRF3866R1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 846-01, SO-8 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | MRF3866R1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MRF5811LT3 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF3866R2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| MRF390 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| MRF392 | 功能描述:射频双极电源晶体管 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MRF393 | 功能描述:射频双极电源晶体管 30-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.5dB RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MRF4 | 制造商:Ferraz Shawmut 功能描述: |
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