- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378675 > MRF4427R2 (MICROSEMI CORP) RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF4427R2 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | MRF4427R2 |
3
MRF4427R2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 2. Collector–Base Capacitance
versus Voltage
Figure 3. Gain Bandwidth Product versus
Collector Current
Figure 4. Output Power versus Voltage
Figure 5. Output Power versus Frequency
TYPICAL CHARACTERISTICS
C
f
τ
o
o
10
9
VCB, COLLECTOR–BASE VOLTAGE (V)
30
8
7
6
5
4
3
2
1
0
27
24
21
18
15
12
9
6
3
VCC = 12.5 V
f = 1 MHz
2000
IC, COLLECTOR0
0
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
20
40
60
80
10
120
140
160
180
200
VCC = 12 Vdc
f = 200 MHz
1200
VCC, COLLECTOR SUPPLY VOLTAGE (V)
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
Pin = 15 mW
f = 136 MHz
175 MHz
1200
f, FREQUENCY (MHz)
110
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
120
130
140
150
160
170
180
190
200
210
Pin = 15 mW
VCC = 7.5 V
Pin = 30 mW
VCC = 5 V
Pin = 30 mW
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF4427 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| MRF448 | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF453 | RF POWER TRANSISTORS |
| MRF453A | RF POWER TRANSISTORS |
| MRF454 | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF448 | 功能描述:射频双极电源晶体管 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MRF448MP | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| MRF449 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER TRANSISTORS |
| MRF449A | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER TRANSISTORS |
| MRF450 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:THE RF LINE |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。