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参数资料
| 型号： | MRF453A |
| 厂商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | RF POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 射频功率晶体管 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | MRF453A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF454 | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF455 | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF464 | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF5P21180R6 | RF Power Field Effect Transistor |
| MRF5P21180 | RF Power Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF454 | 功能描述:射频双极电源晶体管 2-30MHz 80Watts 12.5Volt Gain 12dB RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MRF454MP | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| MRF455 | 功能描述:射频双极电源晶体管 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MRF455MP | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| MRF460 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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