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参数资料
| 型号： | MRF5812 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SO-8 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 173K |
| 代理商： | MRF5812 |
MSC1319.PDF 10-25-99
MRF5812, R1, R2
FUNCTIONAL
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
Min.
Max.
Unit
NFmin
Minimum Noise Figure
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz)
-
2.0
3.0
dB
G
NF
Power Gain @ Nfmin
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz)
13
15.5
dB
G
U max
Maximum Unilateral Gain (1)
IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz
-
17.8
-
dB
MSG
Maximum Stable Gain
IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz
-
20
-
dB
|S
21
|
2
Insertion Gain
IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz
-
15
-
dB
Table 1. Common Emitter S-Parameters, @ VCE = 10 V, IC = 50 mA
f
(MHz)
100
S11
S21
S12
S22
|S11|
.579
∠ φ
-141
|S21|
24
∠ φ
107
|S12|
.024
∠ φ
49
|S22|
.397
∠ φ
-76
300
.593
-173
8.93
85
.045
66
.233
-103
500
.598
175
5.14
74
.066
69
.248
-110
1000
.592
158
2.64
52
.132
72
.347
-119
2000
.615
115
1.55
20
.310
63
.531
-141
3000
.691
72
1.10
-5
.518
41
.648
-172
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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