参数资料
型号: MRF581A
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: 功率晶体管
英文描述: RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
中文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: PLASTIC, M238, MACRO-X-4
文件页数: 1/6页
文件大小: 240K
代理商: MRF581A
MSC1318.PDF 10-25-99
MRF581/MRF581A
DESCRIPTION
Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
°
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
MRF581
18
MRF581A
15
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
30
2.5
200
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 50oC
Derate above 50oC
2.5
25
Watts
mW/ o
C
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 25oC
Derate above 25oC
1.25
10
Watts
mW/ o
C
Tstg
Storage Junction Temperature Range
-65 to +150
o
C
T
Jmax
Maximum Junction Temperature
150
o
C
Macro X
Features
Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ
High Gain,
Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz
Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA
Cost Effective MacroX Package
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
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MRF581AGT 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF581AGT - Bulk
MRF581G 功能描述:TRANS NPN 18V 200MA MACRO X RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
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MRF581LF 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel