参数资料
型号: MRF581A
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: 功率晶体管
英文描述: RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
中文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: PLASTIC, M238, MACRO-X-4
文件页数: 3/6页
文件大小: 240K
代理商: MRF581A
MSC1318.PDF 10-25-99
MRF581/MRF581A
FUNCTIONAL
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
2.5
2.0
Min.
Max.
3.0
3.0
Unit
NFmin
Minimum Noise Figure MRF581
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 0.5 GHz) MRF581A
-
dB
G
NF
Power Gain @ NFmin
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 0.5 GHz)
13
15.5
dB
G
U max
Maximum Unilateral Gain (1)
IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz
-
17.8
-
dB
MSG
Maximum Stable Gain
IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz
-
20
-
dB
|S
21
|
2
Insertion Gain
IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz
14
15
-
dB
Table 1. Common Emitter S-Parameters, @ VCE = 10 V, IC = 50 mA
f
(MHz)
100
S11
S21
S12
S22
|S11|
.610
∠ φ
-137
|S21|
23.8
∠ φ
116
|S12|
.026
∠ φ
46
|S22|
.522
∠ φ
-78
200
.659
-161
13.2
98
.033
47
.351
-106
300
.671
-171
9.0
89
.040
51
.304
-120
400
.675
-178
6.8
83
.047
55
.292
-128
500
.677
176
5.5
77
.055
58
.293
-132
600
.678
172
4.6
72
.064
61
.299
-134
700
.677
168
4.0
68
.073
62
.306
-135
800
.679
184
3.5
64
.082
63
.314
-136
900
.678
160
3.1
60
.092
64
.322
-138
1000
.682
156
2.8
56
.102
65
.311
-139
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