参数资料
型号: MRF951
厂商: MICROSEMI CORP
元件分类: 功率晶体管
英文描述: CAP CERAMIC 4PF 25V C0G 0201
中文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: MACRO-X-4
文件页数: 1/5页
文件大小: 164K
代理商: MRF951
MSC1326.PDF 10-25-99
MRF951
DESCRIPTION
Designed for use in high gain, low noise small-signal amplifiers.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
°
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Value
10
20
1.5
100
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 75oC
.475
Watts
Tstg
Storage Junction Temperature Range
-65 to +150
o
C
T
Jmax
Maximum Junction Temperature
150
o
C
Macro X
Features
Fully Implanted Base and Emitter Structure.
High Gain,
Gain at Optimum Noise Figure = 14 dB @ 1 GHz
Low Noise Figure – 1.3dB @ 1GHz
Ftau - 8.0 GHz @ 6v, 30mA
Cost Effective Macro X Package
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
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PDF描述
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参数描述
MRF9511LT1 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-143
MRF951V2 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel
MRF951V3 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel
MRF951V4 功能描述:射频双极小信号晶体管 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
MRF957 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors