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参数资料
| 型号： | MRF951 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | CAP CERAMIC 4PF 25V C0G 0201 |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MACRO-X-4 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 164K |
| 代理商： | MRF951 |
MSC1326.PDF 10-25-99
MRF951
FUNCTIONAL
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
Min.
Max.
Unit
NFmin
Minimum Noise Figure
(IC = 5 mAdc, VCE = 6 Vdc, f = 1 GHz)
-
1.3
-
dB
G
NF
Power Gain @ NFmin
(IC = 5.0 mAdc, VCE = 6 Vdc, f = 1 GHz)
-
14
-
dB
G
U max
Maximum Unilateral Gain (1)
IC = 30 mAdc, VCE = 8 Vdc, f = 1 GHz
-
17
-
dB
|S
21
|
2
Insertion Gain
IC = 30 mAdc, VCE = 6 Vdc, f = 1 GHz
12
14.5
-
dB
Table 1. Common Emitter S-Parameters, @ VCE = 6 V, IC = 30 mA
f
(MHz)
100
S11
S21
S12
S22
|S11|
.45
∠ φ
-95
|S21|
36.80
∠ φ
132
|S12|
.02
∠ φ
64
|S22|
.68
∠ φ
-38
500
.46
-170
10.20
89
.04
65
.27
-55
1000
.47
169
5.30
72
.08
66
.22
-62
1500
.48
154
3.60
58
.11
63
.22
-73
2000
.50
142
2.80
45
.15
58
.23
-86
2500
.51
132
2.30
36
.18
54
.25
-97
3000
.53
119
1.90
23
.22
47
.28
-113
3500
.55
109
1.60
12
.25
41
.30
-125
4000
.57
99
1.50
2.0
.29
35
.33
-137
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF9511LT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-143 |
| MRF951V2 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF951V3 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF951V4 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MRF957 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors |
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