- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录96052 > MRF5812R1 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF5812R1 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, M240, SO-8 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | MRF5812R1 |
Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.
MRF5812, R1, R2
MRF5812G, R1, R2
Rev A 9/2005
* G Denotes RoHS Compliant, Pb free Terminal Finish
R1 suffix–Tape and Reel, 500 units
R2 suffix–Tape and Reel, 2500 units
DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25
°C)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
15
Vdc
VCBO
Collector-Base Voltage
30
Vdc
VEBO
Emitter-Base Voltage
2.5
Vdc
IC
Collector Current
200
mA
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 25C
Derate above 25C
1.25
10
Watts
mW/ C
SO-8
Features
Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ
Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz
Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA
Cost Effective SO-8 package
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5812 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MRF5812R1G | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MRF5812R2G | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MRF5812R2 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MRF581 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5812R2 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF5812R2 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| MRF581A | 功能描述:射频双极小信号晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MRF581AG | 功能描述:TRANS RF NPN 5GHZ 15V MACR0 X RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| MRF581AGT | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF581AGT - Bulk |
| MRF581G | 功能描述:TRANS NPN 18V 200MA MACRO X RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。