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参数资料
| 型号： | MRF5836HXV |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 557K |
| 代理商： | MRF5836HXV |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA18J05Z | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA13J05Z | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS5306TRF | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6532TRF | 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA18TRH | 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF586 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MRF586G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF586G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| MRF587 | 功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MRF5943 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF5943C | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
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