- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378675 > MRF5P21180 (MOTOROLA INC) RF Power Field Effect Transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF5P21180 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-1230, CASE 375D-04, 4 PIN |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 406K |
| 代理商： | MRF5P21180 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5P21240 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MRF5P21240R6 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MRF5S19100HD | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S19100HR3 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S19100HSR3 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5P21180HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5P21180HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5P21180HR6_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF5P21180R6 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF5P21240 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。