参数资料
型号: MRF5P21240
厂商: Motorola, Inc.
英文描述: RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述: 射频功率场效应晶体管
文件页数: 6/8页
文件大小: 782K
代理商: MRF5P21240
MRF5P21240R6
6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
!
!
#$
234
&
.
*.:&
5-
.!
Figure 8. 2–Carrier W–CDMA ACPR, IM3,
Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
&
η
#
0
/1&
(
0
+,& % 0
6
+,
% 0
F .!&
+, 78898
7;/>9/4<
/ A B
:#719;5
+, <7;;=
7@5
0
82C7C9=94D *-
*
!
!
!
!
!
Figure 9. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
%& ( )
*+,-
!
!
!
!
!
!
!
*
!
!
!
!
+,
<7;;=
.
!
A
+, .
A
+, .
!
A
+, .
A
+, .
!
!
!
!
!
G!!
*/-
Figure 10. CCDF W–CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single Carrier Test Signal
"
H
&H
*
°
-
Figure 11. MTBF Factor versus Junction Temperature
<9$ 7C2 587#< /9$#=7D$ 17=13=74/
/879; 1388;4 "9% 4$4$ 74 =74/
C448
4<7;
±
B
2% 4< 4<284917=
%71428 CD
9; <238$ F 76#8
<7 1288=74/
46#87438$
#8/91492; %28 647= %79=38 99/
9; 7 #784913=787##=917492;
42
%28
*
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相关PDF资料
PDF描述
MRF5P21240R6 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF5S19100HD The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19100HR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19100HSR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19150 RF Power Field Effect Transistors
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF5P21240HR5 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5P21240HR6 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5P21240R6 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF5S18060N 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
MRF5S18060NBR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1880MHZ 60W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray