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参数资料
| 型号： | MRF5S19090LSR3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs |
| 中文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 420K |
| 代理商： | MRF5S19090LSR3 |
A
A
F
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF5S19090LR3 MRF5S19090LSR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
5
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
6
1860
16
60
40
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier N-CDMA Broadband Performance
Gp
,
η
I
50
10
20
30
40
I
I
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 18 W (Avg.), I
DQ
= 850 mA
2Carrier NCDMA, 2.5 MHz Carrier Spacing
1.2288 MHz Channel Bandwidth
Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
14
30
12
20
10
20
8
40
1880 1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040 2060 2080
0
E
100
12
17
1
1100 mA
I
DQ
= 1300 mA
850 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Gp
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
TwoTone Measurement, 2.5 MHz Tone Spacing
650 mA
450 mA
10
16
15
14
13
100
55
15
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
I
I
1100 mA
1300 mA
850 mA
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
TwoTone Measurement, 2.5 MHz Tone Spacing
650 mA
I
DQ
= 450 mA
10
20
25
30
35
40
45
50
10
55
25
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
I
I
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 90 W (PEP), I
DQ
= 850 mA
TwoTone Measurements, Center Frequency = 1960 MHz
30
35
40
45
50
1
5th Order
3rd Order
42
45
56
31
P3dB = 51.21 dBm (132.13 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
Figure 7. Pulse CW Output Power versus
Input Power
Po
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 850 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
Center Frequency = 1960 MHz
41
P1dB = 50.82 dBm (120.78 W)
Ideal
Actual
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
32
33
34
35
36
37
38
39
40
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