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参数资料
| 型号： | MRF5S19100HR3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-780, CASE 465-06, 2 PIN |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 726K |
| 代理商： | MRF5S19100HR3 |
7
MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1000 mA, P
out
= 22 W Avg.
Figure 11. Series Equivalent Input and Output Impedance
f = 1930 MHz
f = 1990 MHz
Z
o
= 10
f = 1930 MHz
f = 1990 MHz
f
MHz
Z
source
Z
load
1930
1960
1990
4.45 - j5.32
5.12 - j5.45
4.53 - j5.40
1.98 - j2.58
1.83 - j2.55
1.60 - j2.15
Z
load
*
Z
source
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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