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参数资料
| 型号： | MRF5S19100HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 599K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 13.9dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 22W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
5
15
1860
?55
40
IRL
Gps
ACPR
9 ?35
IM3
8
1.2288 MHz Channel Bandwidth
?40
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier N-CDMA Broadband Performance
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
?35
?15
?20
?25
?30
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
11 20VDD
= 28 Vdc, P
out
= 22 W (Avg.), I
DQ
= 1000 mA
2?Carrier N?CDMA, 2.5 MHz Carrier Spacing
13 30ηD
7
?45
1880 1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040
?10
100
10
16
1
1300 mA
IDQ
= 1500 mA
1000 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 28 Vdc
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
Two?Tone Measurement, 2.5 MHz Tone Spacing
760 mA
530 mA
10
15
14
13
11
100
?55
?15
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
IMD, THIRD ORDER
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
1000 mA
1300 mA
VDD
= 28 Vdc
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
Two?Tone Measurement, 2.5 MHz Tone Spacing
760 mA
IDQ
= 1500 mA
10
?20
?25
?30
?35
?40
?45
?50
10
?55
?25
0.1
7th Order
TWO?TONE SPACING (MHz)
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD,
?30
?35
?40
?45
?50
1
5th Order
3rd Order
44
46
58
32
P3dB = 51.98 dBm (157.81 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 7. Pulse CW Output Power versus
Input Power
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1000 mA
Pulsed CW, 8 μsec(on), 1 msec(off)
f = 1960 MHz
42
P1dB = 51.3 dBm (135.01 W)
Ideal
Actual
57
56
55
54
53
52
51
49
47
33 34 35 36 37 38 39 40 41
50
48
43
40
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 100 W (PEP), I
DQ
= 1000 mA
Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1960 MHz
530 mA
12
35
25
?50
?30
14
12
10
6
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
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PDF描述 |
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