参数资料
型号: MRF5S19130HR3
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 4/9页
文件大小: 412K
描述: MOSFET RF N-CHAN 28V 26W NI-880
标准包装: 250
晶体管类型: LDMOS
频率: 1.93GHz
增益: 13dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 1.2A
功率 - 输出: 26W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: NI-880
供应商设备封装: NI-880
包装: 带卷 (TR)
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S19130HR3 MRF5S19130HSR3
Figure 2. MRF5S19130HR3(SR3) Test Circuit Component Layout
MRF5S19130
Rev 5
CUT OUT AREA
VGG
VDD
C24
C20
C21
C19
C18
C15
C22
C23
C17
C16
C25
C31
C32
C29
C30
C33
C34
C28
C27
C26
C14
C12
C11
C6
C7
C10
B2 R4
C13
C1
C2
C3
C4
C5
C9
R2
R1
B1
R3 C8
Freescale has begun the transition of marking Printed Circuit Boards (PCBs) with the Freescale Semiconductor
signature/logo. PCBs may have either Motorola or Freescale markings during the transition period. These changes will have
no impact on form, fit or function of the current product.
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PDF描述
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MCM01-001ED181K-F CAP MICA 180PF 500V 10% SMD
MCM01-001ED151K-F CAP MICA 150PF 500V 10% SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF5S19130HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19130HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V 26W WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S19130HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V26W WCDMA NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S19130HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V26W WCDMA NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S19130R3 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs