- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21707 > MRF5S19130HR3 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CHAN 28V 26W NI-880 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF5S19130HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 412K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 26W NI-880 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 26W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-880 |
| 供应商设备封装： | NI-880 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S19130HR3 MRF5S19130HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
30 ?35ηD
0
35
1
?65
?30
15 ?50Gps
20 ?45ACPR
IM3
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG. (N?CDMA)
Figure 8. 2-Carrier N-CDMA ACPR, IM3,
Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1200 mA
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
2 x N?CDMA, 2.5 MHz @
25 ?401.2288 MHz Channel Bandwidth
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
10
10 ?55
5 ?60
220
105
109
100
Figure 9. MTTF Factor versus Junction Temperature
108
107
106
120 140 160 180 200
MTTF FACTOR (HOURS X AMPS
2
)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than ±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2
for MTTF in a particular application.
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
N-CDMA TEST SIGNAL
f, FREQUENCY (MHz)
?100
0
Figure 10. 2-Carrier N-CDMA Spectrum
?10
?20
?30
?40
?50
?60
?70
?80
?90
?ACPR in 30 kHz
Integrated BW
+ACPR in 30 kHz
Integrated BW
?IM3 in
1.2288 MHz
Integrated BW
+IM3 in
1.2288 MHz
Integrated BW
1.2288 MHz
Channel BW
6
1.5 4.53
0
?1.5
?3
?4.5
?6
?7.5
7.5
(dB)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ST7ETA203 | TRIMMER 20K OHM 0.25W SMD |
| ST7ETA104 | TRIMMER 100K OHM 0.25W SMD |
| ST7ETA103 | TRIMMER 10K OHM 0.25W SMD |
| MCM01-001ED181K-F | CAP MICA 180PF 500V 10% SMD |
| MCM01-001ED151K-F | CAP MICA 150PF 500V 10% SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S19130HR3_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF5S19130HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V 26W WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S19130HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V26W WCDMA NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S19130HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V26W WCDMA NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S19130R3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。