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参数资料
| 型号： | MRF5S19150 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 617K |
| 代理商： | MRF5S19150 |
MRF5S19150R3 MRF5S19150SR3
8
MOTOROLA RF DEVICE DATA
NOTES
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S19150R3 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF5S19150SR3 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF840 | 64K SERIAL CONFIGURATION PROM |
| MRF842 | 64K SERIAL CONFIGURATION PROM |
| MRF847 | 64K SERIAL CONFIGURATION PROM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S19150H | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:L BAND, SI, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S19150HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 32W N/CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S19150HR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF5S19150HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 32W N/CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S19150HSR3 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
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