- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录371145 > MRF5S21130 (MOTOROLA INC) The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF5S21130 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-880, CASE 465B-03, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | MRF5S21130 |
3
MRF5S21130 MRF5S21130R3 MRF5S21130S MRF5S21130SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 1. MRF5S21130 Test Circuit Schematic
Z9, Z10
Z11
Z12
Z13
Z14, Z15
Z16
PCB
0.709
″
x 0.083
″
Microstrip
0.415
″
x 1.000
″
Microstrip
0.531
″
x 0.083
″
Microstrip
0.994
″
x 0.083
″
Microstrip
0.070
″
x 0.220
″
Microstrip
0.430
″
x 0.083
″
Microstrip
Taconic TLX8, 0.76 mm,
ε
r
= 2.55
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6, Z7
Z8
0.500
″
x 0.083
″
Microstrip
0.995
″
x 0.083
″
Microstrip
0.905
″
x 0.083
″
Microstrip
0.159
″
x 1.024
″
Microstrip
0.117
″
x 1.024
″
Microstrip
0.749
″
x 0.083
″
Microstrip
0.117
″
x 1.000
″
Microstrip
Table 1. MRF5S21130 Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Value, P/N or DWG
293D1106X9035D
1812Y224KXA
100B6R8CW
100B0R1BW
100B0R5BW
13668221
Manufacturer
Vishay–Sprague
Vishay–Vitramon
ATC
ATC
ATC
Philips
C1, C2, C13, C14, C15, C16
C3, C4, C11, C12
C5, C6, C7, C9, C10, C18, C19
C8
C17
C20
R1, R2
10
μ
F, 35 V Tantalum Capacitors
220 nF Chip Capacitors (1812)
6.8 pF 100B Chip Capacitors
0.1 pF 100B Chip Capacitor
0.5 pF 100B Chip Capacitor
220
μ
F, 63 V Electrolytic Capacitor, Radial
1 k , 1/4 W Chip Resistors
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S21130R3 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S21130S | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S21130SR3 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S21150 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF5S21150S | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S21130HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S21130HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S21130HS | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MRF5S21130HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S21130HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。