参数资料
型号: MRF5S21130
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述: S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装: NI-880, CASE 465B-03, 3 PIN
文件页数: 4/12页
文件大小: 410K
代理商: MRF5S21130
MRF5S21130 MRF5S21130R3 MRF5S21130S MRF5S21130SR3
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 2. MRF5S21130 Test Circuit Component Layout
MRF5S21130
Rev 0
C
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PDF描述
MRF5S21130R3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130S The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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MRF5S21150 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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相关代理商/技术参数
参数描述
MRF5S21130HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S21130HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S21130HS 制造商:Motorola Inc 功能描述:
MRF5S21130HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S21130HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray