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参数资料
| 型号： | MRF5S9070MR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 569K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 17.8dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 600mA |
| 功率 - 输出： | 14W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270-2 |
| 供应商设备封装： | TO-270-2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF5S9070MR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical GSM CW Performances
(In Freescale GSM Test Fixture Optimized for 865-895 MHz, 50
οhm system) VDD
= 26 Vdc,
IDQ
= 400 mA, Pout
= 60 W, f = 865-895 MHz
Power Gain
Gps
?
16.4
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
59
?
%
Input Return Loss
IRL
?
-15
?
dB
Pout
@ 1 dB Compression Point
(f = 880 MHz)
P1dB
?
71
?
W
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture Optimized for 865-895 MHz, 50
οhm system)
VDD
= 26 Vdc, IDQ
= 400 mA, Pout
= 25 W Avg., f = 865-895 MHz, GSM EDGE Signal
Power Gain
Gps
?
17
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
41
?
%
Error Vector Magnitude
EVM
?
1.35
?
%
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
?
-66
?
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
?
-81
?
dBc
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S9070NR5 | MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2 |
| MRF5S9080NR1 | MOSFET RF N-CH 26V 80W TO-270-4 |
| MRF5S9100MR1 | MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-270-4 |
| MRF5S9101MR1 | MOSFET RF N-CH 26V 100W TO2704 |
| MRF5S9150HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S9070NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 70W RF POWER FET TO270 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9070NR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 70W RF POWER FET TO270 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9080NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 80W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9080NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 80W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9100MBR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-272-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
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