型号: | MRF5S9070NR1 |
厂商: | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1265-09, 2 PIN |
文件页数: | 1/14页 |
文件大小: | 548K |
代理商: | MRF5S9070NR1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MRF5S9080NR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
MRF5S9080NBR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
MRF5S9100MBR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
MRF5S9100NBR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
MRF5S9100NR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MRF5S9070NR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 70W RF POWER FET TO270 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF5S9080NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 80W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF5S9080NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 80W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF5S9100MBR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-272-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
MRF5S9100MR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-270-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |