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参数资料
| 型号： | MRF5S9070NR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 548K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 17.8dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 600mA |
| 功率 - 输出： | 14W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AA |
| 供应商设备封装： | TO-270-2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF5S9070NR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
37
45
55
27
Ideal
P3dB = 49.78 dBm (94.97 W)
Actual
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 8. Pulse CW Output Power versus
Input Power
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
VDD
= 26 Vdc, I
DQ
= 600 mA
Pulsed CW, 8 μsec (on), 1 msec (off)
f = 880 MHz
P1dB = 49.11 dBm (81.54 W)
28 29 30 31 32 33 34 35 36
54
53
52
51
50
49
48
47
46
6
20
1
?80
60
G
18 40ps
10 ?40
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 9. N-CDMA ACPR, Power Gain and
Drain Efficiency versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
VDD
= 26 Vdc, I
DQ
= 600 mA, f = 880 MHz
12 ?20
Single?Carrier N?CDMA, IS?95
(Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 through 13)
10
16 20
ηD
14 0
8 ?60
ALT
100
8
20
1
10
70
18 60Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
10 20VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 600 mA
f = 880 MHz
16 50
14 40
12 30
10
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
100 120 140 160 180 200
210
109
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than ±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2
for MTTF in a particular application.
108
106
MTTF FACTOR (HOURS X AMPS
2
)
90 110 130 150 170 190
Figure 11. MTTF Factor versus Junction Temperature
107
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF5S9100N | 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述: |
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