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参数资料
型号： MRF5S9070NR5
厂商： Freescale Semiconductor
文件页数： 7/14页
文件大小： 548K
描述： MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2
标准包装： 50
晶体管类型： LDMOS
频率： 880MHz
增益： 17.8dB
电压 - 测试： 26V
额定电流： 10µA
电流 - 测试： 600mA
功率 - 输出： 14W
电压 - 额定： 68V
封装/外壳： TO-270AA
供应商设备封装： TO-270-2
包装： 带卷 (TR)
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9070NR1
Table 5. Electrical Characteristics (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 68 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
10
μAdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 26 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate-Source Leakage Current
(VGS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
?
1
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 200
μA)
VGS(th)
2
2.7
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDS
= 26 Vdc, I
D
= 600 mAdc)
VGS(Q)
?
3.7
?
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(VGS
= 10 Vdc, I
D
= 1.0 Adc)
VDS(on)
?
0.18
0.22
Vdc
Forward Transconductance
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 4 Adc)
gfs
?
4.7
?
S
Dynamic Characteristic
Input Capacitance
(VDS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Ciss
?
126
?
pF
Output Capacitance
(VDS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Coss
?
34
?
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Crss
?
1.37
?
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 600 mA, P
out
= 14 W Avg., f = 880 MHz, Single-Carrier
N-CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 30 kHz Channel Bandwidth @ ±750 kHz Offset. PAR = 9.8 dB @
0.01% Probability on CCDF
Power Gain
Gps
17
17.8
?
dB
Drain Efficiency
ηD
29
30
?
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
?
-47
-45
dBc
Input Return Loss
IRL
?
-19
-9
dB
Typical GSM CW Performances
(In Freescale GSM Test Fixture Optimized for 921-960 MHz, 50
οhm system) VDD
= 26 Vdc, I
DQ
= 400 mA,
Pout
= 60 W, f = 921-960 MHz
Power Gain
Gps
?
16.4
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
62
?
%
Input Return Loss
IRL
?
-12
?
dB
Pout
@ 1 dB Compression Point
(f = 940 MHz)
P1dB
?
68
?
W
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture Optimized for 921-960 MHz, 50
οhm system) VDD
= 26 Vdc,
IDQ
= 400 mA, Pout
= 25 W Avg., f = 921-960 MHz, GSM EDGE Signal
Power Gain
Gps
?
17
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
44
?
%
Error Vector Magnitude
EVM
?
1.5
?
%
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
?
-62
?
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
?
-78
?
dBc
(continued)
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PDF描述
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