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参数资料
| 型号： | MRF5S9100MR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 514K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-270-4 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 19.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF5S9100MR1 MRF5S9100MBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
18 30ηD
920
6
22
830
?70
50
14 ?30IRL
20 40Gps
12 ?40ACPR
8?60ALT
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. IS-95 Broadband Performance @ Pout
= 20 Watts Avg.
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16 20VDD
= 26 Vdc, P
out
= 20 W (Avg.), I
DQ
= 950 mA
N?CDMA IS?95 (Pilot, Sync, Paging, Traffic
Codes 8 through 13)
?30
?10
?20
?15
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
EFFICIENCY (%)
ACPR (dBc), ALT (dBc)
?25
, DRAIN
η
D
10 ?50
840 850 860 870 880 890 900 910
η
16 4D
920
6
22
830
?80
10
14 ?40
IRL
20 8Gps
10 ?60ACPR
ALT
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. IS-95 Broadband Performance @ Pout
= 2 Watts Avg.
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 26 Vdc, P
out
= 2 W (Avg.), I
DQ
= 950 mA
N?CDMA IS?95 (Pilot, Sync, Paging, Traffic
Codes 8 through 13)
?30
?10
?20
?15
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
EFFICIENCY (%)
ACPR (dBc), ALT (dBc)
8?70?25
, DRAIN
η
D
18 6
12 ?50
840 850 860 870 880 890 900 910
1000
16
21
0.1
IDQ
= 1425 mA
1150 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 26 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two?Tone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
475 mA
700 mA
950 mA
20
19
18
17
1 10 100
1000
?70
?20
0.1
IDQ
= 475 mA
1425 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
VDD
= 26 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two?Tone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
950 mA
700 mA
1150 mA
?25
?30
?35
?40
?45
?50
?55
?60
?65
1 10 100
IMD, THIRD ORDER
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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