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参数资料
| 型号： | MRF5S9100NBR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 514K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100W 26V TO-272-4 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 19.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-272BB |
| 供应商设备封装： | TO-272 WB-4 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MRF5S9100NBR1CT |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF5S9100MR1 MRF5S9100MBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Zsource
Ω
Zload
Ω
865
880
3.0 - j1.8
2.7 - j1.7
2.8 - j1.9
1.4 - j0.7
1.5 - j0.6
1.5 - j0.5
VDD
=
26 Vdc, IDQ
= 950 mA, P
out
= 20 W Avg.
Zo
= 5
Ω
f = 895 MHz
f = 895 MHz
f = 865 MHz
f = 865 MHz
895
Zload
Zsource
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under Test
Output
Matching
Network
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