型号: | MRF5S9101MR1 |
厂商: | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1486-03, WB-4, 4 PIN |
文件页数: | 1/20页 |
文件大小: | 542K |
代理商: | MRF5S9101MR1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MRF5S9101MBR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
MRF5S9101NBR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
MRF5S9150HR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF6P21190HR6 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF6P23190HR6 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MRF5S9101N | 制造商:-- 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-270 |
MRF5S9101NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF5S9101NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF5S9150HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF5S9150HR3_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |