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参数资料
| 型号： | MRF648 |
| 厂商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | MRF648 |
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25 °C
SYMBOL
BV
CES
I
C
= 50 mA
BV
CEO
I
C
= 50 mA
BV
EBO
I
E
= 5.0 Ma
I
CES
V
CE
= 15 V
h
FE
V
CE
= 5.0 V I
C
= 6.0 A
NONE
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
36
16
4.0
20
UNITS
V
V
mA
---
15
150
C
OB
V
CB
= 12.5 V f = 1.0 MHz
130
150
pF
P
G
η
C
V
CE
= 12.5 V P
OUT
= 60 W f = 470 MHz
4.4
55
5.0
65
dB
%
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF648
DESCRIPTION:
The
ASI MRF648
is Designed for
12.5 V UHF large signal amplifier
applications up to 512 MHz.
FEATURES:
Internal Input Matching Network
P
G
= 4.4 dB at 60 W/470 MHz
Omnigold
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
11 A
V
CBO
36 V
V
CEO
16 V
V
EBO
4.0 V
P
DISS
175 W @ T
C
= 25 °C
T
J
-65 °C to +200 °C
T
STG
-65 °C to +150 °C
θ
JC
1.0 °C/W
PACKAGE STYLE .500 6L FLG
Common Emitter
MINIMUM
inches / mm
.490 / 12.45
.210 / 5.33
.003 / 0.08
B
C
D
E
F
G
A
MAXIMUM
inches / mm
.220 / 5.59
.007 / 0.18
.510 / 12.95
.725 / 18.42
H
DIM
K
L
I
J
.970 / 24.64
.980 / 24.89
.170 / 4.32
N
M
.120 / 3.05
.135 / 3.43
.150 / 3.43
.160 / 4.06
.125 / 3.18
.090 / 2.29
.105 / 2.67
.285 / 7.24
.150 / 3.81
.045 / 1.14
E
F
.725/18,42
I
G
J
K
L
M
A
D
C
B
2x N
FULL R
H
.835 / 21.21
.865 / 21.97
.210 / 5.33
.200 / 5.08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF750 | NPN SILICON RF TRANSISTOR |
| MRF752 | NPN SILICON RF TRANSISTOR |
| MRF837 | NPN SILICON RF LOW POWER TRANSISTOR |
| MRF838A | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| MRF839F | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF650 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF652 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF6522-70 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF6522-70R3 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6522--70R3 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
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