| 型号: | MRF653 |
| 厂商: | MOTOROLA INC |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| 中文描述: | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件页数: | 3/6页 |
| 文件大小: | 163K |
| 代理商: | MRF653 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF654 | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF658 | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF857D | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| MRF857S | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| MRF891 | RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF654 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF658 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF6P18190HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 1.8GHZ 44W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6P18190HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 1.8GHZ 44W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6P21190HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 44W W/CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |