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参数资料
| 型号： | MRF658 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | MRF658 |
5
MRF658
MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 316–01
ISSUE D
NOTES:
1. FLANGE IS ISOLATED IN ALL STYLES.
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. BASE
DIM
A
B
C
D
E
F
H
J
K
L
N
Q
R
U
MIN
24.38
12.45
5.97
5.33
2.16
5.08
18.29
0.10
10.29
3.81
3.81
2.92
3.05
11.94
MAX
25.14
12.95
7.62
5.58
3.04
5.33
18.54
0.15
11.17
4.06
4.31
3.30
3.30
12.57
MIN
0.960
0.490
0.235
0.210
0.085
0.200
0.720
0.004
0.405
0.150
0.150
0.115
0.120
0.470
MAX
0.990
0.510
0.300
0.220
0.120
0.210
0.730
0.006
0.440
0.160
0.170
0.130
0.130
0.495
MILLIMETERS
INCHES
4
3
2
1
F
D
R
Q
L
K
E
J
B
A
H
N
C
U
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF6P18190HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 1.8GHZ 44W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6P21190HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 44W W/CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6P21190HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 44W W/CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6P21190HR6_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
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