- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21696 > MRF6S18140HR5 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF6S18140HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 435K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.88GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 29W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-880 |
| 供应商设备封装： | NI-880 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
12
1
0
66
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 1200 mA
f = 1840 MHz
TC
= -30
C
25C
10
18
17
16
15
14
55
44
33
22
11
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
13
400
85C
-30C
25C
85C
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
13
17
0 260100 200
15
14
16
VDD
= 24
V
28 V
32 V
IDQ
= 1200 mA
f = 1840
MHz
Figure 13. MTTF Factor versus Junction Temperature
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
= 28 Vdc, P
out
= 29 W Avg., and
ηD
= 27.5%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
107
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S18140HR3 | MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880 |
| WMF1S27K-F | CAP FILM 0.027UF 100VDC AXIAL |
| KT11P2SA2M34LFS | SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V |
| 3292W-1-104LF | TRIMMER 100K OHM 0.5W TH |
| KT11B2SAM34LFS | SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S18140HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S18140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S1900HSR3 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF6S19060GN | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MRF6S19060GN - Bulk |
| MRF6S19060GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 12W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。