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参数资料
| 型号： | MRF6S18140HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/12页 |
| 文件大小： | 435K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.88GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 29W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-880 |
| 供应商设备封装： | NI-880 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zo
= 10
Ω
Zload
f = 1920 MHz
Zsource
f = 1760 MHz
f = 1760 MHz
f = 1920 MHz
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1200 mA, P
out
= 29 W Avg.
f
MHz
Zsource
Zload
1760
1.454 - j6.703
1.344 - j2.479
1780
1.465 - j6.511
1.338 - j2.299
1800
1.467 - j6.336
1.333 - j2.129
1820
1.448 - j6.193
1.325 - j1.966
1840
1.440 - j6.049
1.308 - j1.801
1860
1.414 - j5.938
1.301 - j1.687
1880
1.377 - j5.827
1.303 - j1.550
1900
1.311 - j5.710
1.301 - j1.419
1920
1.231 - j5.583
1.289 - j1.303
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S18140HR3 | MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880 |
| WMF1S27K-F | CAP FILM 0.027UF 100VDC AXIAL |
| KT11P2SA2M34LFS | SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V |
| 3292W-1-104LF | TRIMMER 100K OHM 0.5W TH |
| KT11B2SAM34LFS | SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S18140HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S18140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S1900HSR3 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF6S19060GN | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MRF6S19060GN - Bulk |
| MRF6S19060GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 12W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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